Прорыв в микроэлектронике: МФТИ сделал шаг к транзисторам будущего

МФТИ разработал технологию транзисторов на дисульфиде молибдена (MoS₂) — материале толщиной всего 0,65 нм (три атомных слоя). Это перспективная альтернатива кремнию: при толщине канала менее 2 нм у кремниевых транзисторов растут утечки тока и перегрев, а MoS₂ за счёт атомарной толщины даёт идеальный контроль затвора и снижает энергопотребление в сотни раз.

Ключевое достижение учёных — решение проблемы контакта металла с ультратонким полупроводником. При стандартном напылении металл повреждает MoS₂, но в МФТИ между электродом и материалом наносят прослойку из диоксида титана (TiO₂) методом атомно‑слоевого осаждения (ALD). Это защищает структуру и обеспечивает стабильный контакт.

Технология применима и к другим двумерным материалам (WS₂, MoSe₂, WSe₂) — значит, подход универсален для разных полупроводников. Важное преимущество: метод совместим с существующим промышленным производством.

Сейчас технология на этапе лабораторных образцов — для серийного выпуска нужно масштабировать выращивание плёнок, доработать техпроцессы и инструменты проектирования. Тем не менее МФТИ закрыл один из фундаментальных барьеров на пути к практическому применению двумерных материалов. Параллельно исследования идут в России и за рубежом — например, в Китае запущена демонстрационная линия процессоров на MoS₂.

Вашу заявку на электронные компоненты, радиоизмерительные и электроизмерительные приборы Вы можете оставить на нашем сайте, отправить на почту info@altonix.ru,

в MAX по номеру телефона +8 (900) 303 50 05,

а также по телефону:

+7 (495) 120-80-22

+7 (473) 300 35 85

С уважением, ООО «Компания «Альтоникс»